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极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项

1.专项概述(专项十二五实施进展及突出成效,300字以内)

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项实施至“十二五”末,12吋国产装备实现从无到有的突破,总体水平达到28纳米,刻蚀机、离子注入机、PVD、CMP等16种关键装备产品通过大生产线验证考核并实现销售,正积极拓展市场着力提升竞争力;光刻机样机研发成功并实现90纳米曝光分辨率,国产曝光系统与双工件台实现研发目标;65-45纳米工艺完成研发进入量产,28纳米工艺完成研发即将进入生产,20-14纳米工艺取得关键技术成果;集成电路封装多项技术接近国际先进水平;抛光剂、溅射靶材等关键材料被国内外生产线批量应用;专项取得了2万余项知识产权,我国集成电路制造技术水平取得长足进步,创新能力和产业实力显著增强,与国际先进水平的差距进一步缩小。

2.重点展项及其文字描述(150-200字)

(1)国产光刻机及其关键部件

说明:

经过14年的艰苦攻关,90nm单工件台步进扫描投影光刻机在上海微电子装备有限公司研制成功,实现了90nm曝光分辨率等一系列技术指标,标志着我国高端光刻机技术取得重大突破。于此同时,清华大学的光刻机双工件台系统与中科院长光所的光刻机90nm曝光光学系统等关键部件相继通过了技术测试,为全面形成自主配套的光刻机与部件产品体系奠定坚实基础。


上海微电子装备研制的步进扫描投影光刻机


中科院长光所研制的投影物镜


清华大学研制的光刻机双工件台

(2)PVD等前道装备

说明:

由北方微电子研制的PVD(物理气相沉积设备)经过中芯国际大生产线严格的考核与用户产品测试,其产品性能优于国外同类设备,成为中芯国际28nm生产线的基线设备。在此基础上,北方微电子推出了满足14nm工艺需求的PVD设备,为国内即将建设的14nm生产线提供优秀的国产装备。除PVD外,02专项有10余种前道关键装备完成研制,通过了大生产线的考核验证,覆盖了生产线主要关键装备,为我国集成电路产业自主发展、自主供应、自主创新奠定基础。


exiTinH430TiN掩膜物理气相沉积系统

(3)28nm成套工艺

说明:

中芯国际28nm工艺实现量产。基于中芯国际28纳米高介电常数金属栅极工艺,为联芯科技有限公司等进行大规模流片。LC1860S是联芯LC1860平台上适用于智能手机的28纳米最高端芯片,具备领先的LTESoC芯片架构设计,CortexA7架构六核处理器(高性能应用处理器和内置移动基带功能),支持TD-LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/WCDMA/GGE五模及全球漫游、Trustzone技术、GP和银联的TEE标准,能配合国家安全战略。与传统的PolySiON工艺相比,中芯国际28纳米HKMG技术有效改善驱动能力,提升芯片性能,大幅降低漏电。


中芯国际28nm晶圆




联芯的LC1860芯片

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