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Si衬底GaN 蓝光LED

成果1 Si衬底GaN蓝光LED

开创了第三条LED照明技术路线—硅衬底GaN基蓝光,实现了产业化,形成了上中下游产业链,产品在通用照明和特种照明中推广应用,较传统光源节电40%—90%,产生了显著的经济和社会效益,获2015年度国家技术发明奖一等奖。在此基础上,新研发成功国际一流水平的绿光(160—240lm/W,硅衬底GaN基)和国际领先水平的黄光(70—100lm/W,硅衬底GaN基)。

国际上现有的三条LED照明技术路线

硅衬底LED生产与应用


    研发成功具有自主知识产权的LED高端装备─生产型MOCVD设备(60片机),生产结果表明,达到国际同类产品先进水平,并具有原材料消耗少、制造成本低等优势。主要技术指标:MO源利用率≥30%;总载气量≤120L/min;N层膜厚均匀性≤1.5%(片内、片间);波长均匀性:片间≤1.5nm,片内≤0.8nm;蓝光450nm电光转换效率≥60%。

自主研发的60×2″MOCVD装备

MOCVD反应管

MOCVD电炉

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